特罗半导体:成立于2011年1月，是射频（RF）和电源管理应用硅上氮化镓（GaN-on-Si）半导体技术的先驱。先进的专有技术和设备以高昂的价格显著降低了系统解决方案的复杂性、尺寸、重量和功耗，与Silicon解决方案相比，功率转换性能显著提高。特罗半导体是一家无晶圆厂半导体公司总部位于美国芝加哥，在美国伊利诺伊州阿灵顿高地和印度加尔各答设有设计中心。特罗半导体的研发团队致力于开发利用宽带隙技术的颠覆性解决方案，帮助客户解决射频和电源设计挑战，并加快从5G蜂窝基础设施到消费者、汽车、国防和安全等广泛应用的上市时间。特罗半导体与领先的半导体铸造厂和组装厂合作，提供优质和久经考验的产品。主要产品：功率放大器；射频开关；GaN晶体管低噪放大器线性驱动器；增益模块；GaN功率晶体管。型号：TS8021N；TS8423K1；TS8728N；TS8729N；TS86436P。